一片硅片到底可以切割出多少的晶片數(shù)目？
這個(gè)要根據(jù)你的die的大小和wafer的大小以及良率來(lái)決定的。
目前業(yè)界所謂的6寸，12寸還是18寸晶圓其實(shí)就是晶圓直徑的簡(jiǎn)稱，只不過(guò)這個(gè)吋是估算值。實(shí)際上的晶圓直徑是分為150mm，300mm以及450mm這三種，而12吋約等于305mm，為了稱呼方便所以稱之為12吋晶圓。
國(guó)際上Fab廠通用的計(jì)算公式：
聰明的讀者們一定有發(fā)現(xiàn)公式中 π*(晶圓直徑/2)的平方 不就是圓面積的式子嗎？再將公式化簡(jiǎn)的話就會(huì)變成：
X就是所謂的晶圓可切割晶片數(shù)。
科普：wafer die chip的區(qū)別？
我們先從一片完整的晶圓（Wafer）說(shuō)起：
一塊完整的wafer
名詞解釋：wafer 即為圖片所示的晶圓，由純硅（Si）構(gòu)成。一般分為6英寸、8英寸、12英寸規(guī)格不等，晶片就是基于這個(gè)wafer上生產(chǎn)出來(lái)的。Wafer上的一個(gè)小塊，就是一個(gè)晶片晶圓體，學(xué)名die，封裝后就成為一個(gè)顆粒。一片載有Nand Flash晶圓的wafer，wafer首先經(jīng)過(guò)切割，然后測(cè)試，將完好的、穩(wěn)定的、足容量的die取下，封裝形成日常所見(jiàn)的Nand Flash芯片。那么，在wafer上剩余的，要不就是不穩(wěn)定，要不就是部分損壞所以不足容量，要不就是完全損壞。原廠考慮到質(zhì)量保證，會(huì)將這種die宣布死亡，嚴(yán)格定義為廢品全部報(bào)廢處理。
die和wafer的關(guān)系
品質(zhì)合格的die切割下去后，原來(lái)的晶圓就成了下圖的樣子，就是挑剩下的Downgrade Flash Wafer。
篩選后的wafer
這些殘余的die，其實(shí)是品質(zhì)不合格的晶圓。被摳走的部分，也就是黑色的部分，是合格的die，會(huì)被原廠封裝制作為成品NAND顆粒，而不合格的部分，也就是圖中留下的部分則當(dāng)做廢品處理掉。
